主な用途

超合金、高融点金属材料の単結晶育成、一方向凝固、ODS合金の一方向再結晶処理、金属材料の焼きなまし処理等を行える装置です。

主な仕様

加熱方式	高周波誘導加熱方式　40 kW
雰囲気	不活性ガス（Ar、N2、He）
加熱温度範囲	800～3500 ℃
ストローク (育成距離)	～100 mm
試料回転数	1～120 rpm
育成速度	1～250 mm/h
試料温度測定	赤外線放射温度計

主な特徴

高融点金属の溶解、一方向凝固が可能。

装置の説明図および写真

実績・その他情報